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　　公开号CN 119390106 A■•-△■，苏州鑫瀚源半导体材料有限公司申请一项名为▲◆★“一种低水氧稀土氟化物的规模化制备方法○…”的专利•◆，国家知识产权局信息显示▽●▲▷，申请日期为2024年11月◁★-□▼▪。金融界2025年2月11日消息▷•◇-▼●，

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　　专利摘要显示●◆☆•，一种低水氧稀土氟化物的规模化制备方法▼◁-▲◁◁，以稀土金属为原料▼▲△●▲，经过多次氢化和脱氢操作●◁◁▪★○，获得到比表面大于10㎡/g的稀土金属○◇◆▪◁◁，再采用无水氟化氢与高比表面的稀土金属进行低温加压氟化反应▷●=◁■☆，得到O含量≤10ppm▪●、H2O≤15ppm的稀土氟化物pg电子官网首页★▷•▽。